理想照進現(xiàn)實，擁抱第三代半導(dǎo)體新紀元

第三代半導(dǎo)體為什么發(fā)展的這么快？

從大環(huán)境來看，過去的40年里，世界人口總數(shù)從40億增長至75億。但與此同時，全球用電量的速度卻從40年前的6000特瓦時增加到現(xiàn)在的24000特瓦時，這意味著每人所消耗的電量在過去40年中平均增加了兩倍，遠遠高于人口增長速度。毫無疑問，這一趨勢跟我們40年內(nèi)消費習(xí)慣、生活習(xí)慣的改變有著密不可分的關(guān)系，最具代表性的應(yīng)用新能源汽車的大量涌現(xiàn)，極大帶動了二次能源的使用量。

人與人之間交流方式的改變也對此產(chǎn)生了重要的影響。貝爾先生發(fā)明電話的時候，使用很少的電量就可以維持長距離通信，但對比之下，現(xiàn)在的移動電話完成同樣距離通信所消耗的單位能量發(fā)生了顯著提升。如果再考慮AI、機器學(xué)習(xí)、大數(shù)據(jù)處理這些新興技術(shù)對電量的苛求，電氣化發(fā)展的速度實在是令人感到驚嘆。

當(dāng)然，除了設(shè)備本身耗電量的增加，能量密度也在不斷地提升中。下圖中，沈鑫對比了第一代iPhone手機和去年發(fā)布的iPhone 11的電池密度。可以看出，第一代蘋果手機的電池容量是1400毫安時，而iPhone 11的電池容量已經(jīng)超過了3000毫安時，換句話說，單位體積/單位重量所具備的電能量提升了1.5倍。

純電動汽車是另一個代表性的應(yīng)用案例。得益于電池容量和能量密度的迅猛提升，特斯拉的續(xù)航歷程目前已經(jīng)可以超過400公里，而且這一數(shù)字還在持續(xù)增加中。這就對傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體器件在開關(guān)頻率、散熱、耐壓等方面提出了新的挑戰(zhàn)和要求，但這些恰恰就是以SiC MOSFET為代表的第三代半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢所在。例如高熱導(dǎo)率可以降低對散熱系統(tǒng)的要求；強耐壓能力使得開關(guān)損耗得以降低，從而大幅提升系統(tǒng)效率，降低系統(tǒng)成本

沈鑫援引HIS Markit的數(shù)據(jù)稱，第三代半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計將從2020年的10億美元增長至2025年的35億美元，年復(fù)合增長率超過20%。而這一系列數(shù)字的背后，是行業(yè)需求、供應(yīng)鏈提升和改進、以及相關(guān)技術(shù)的巨大進步。

例如碳化硅、氮化鎵晶圓制造缺陷密度的降低和良率的增加，穩(wěn)定了供應(yīng)，不至于因為良率的波動出現(xiàn)供貨短缺的情況。另一方面，晶圓面積也從過去的2英寸逐步增加到現(xiàn)在主流的6英寸，一些國際領(lǐng)先廠商甚至已經(jīng)開始規(guī)劃8英寸碳化硅的產(chǎn)能，從而保證了供應(yīng)鏈的穩(wěn)定。從設(shè)計角度來看，碳化硅二極管目前具備的GBS、NBS技術(shù)，大幅提升芯片本身抗電流能力的同時，還優(yōu)化了設(shè)計，降低了成本。

關(guān)鍵應(yīng)用助推SiC市場起飛

目前來看，真正起到風(fēng)向標引領(lǐng)示范作用的，是SiC MOSFET器件在特斯拉Model 3上的大規(guī)模量產(chǎn)使用。雖然目前Model 3只在主驅(qū)動逆變器上應(yīng)用了SiC MOSFET，但即便這樣，一輛車中也需要24顆SiC MOSFET器件。未來，車載充電機(OBC)、DC-DC等都會成為SiC MOSFET器件的理想使用場景，隨著電動汽車市場規(guī)模的快速增長，SiC MOSFET出貨量的顯著上升將不會令人感到意外。

新能源汽車充電樁市場的快速發(fā)展也不容小覷。30/40/100千瓦充電站的大量布局，意味著充電能量的提升和充電時間的縮短，碳化硅器件對降低充電樁整體系統(tǒng)成本，提升系統(tǒng)能量密度，改善散熱系統(tǒng)性能等，起到了積極正面的幫助。

而在光伏逆變器和風(fēng)電行業(yè)，得益于低開關(guān)損耗、高頻率、高熱導(dǎo)率、高可靠性等優(yōu)點，，碳化硅器件能夠在同樣體積的逆變器中輸出原來2倍以上的功率，或是降低離岸風(fēng)電的維修養(yǎng)護成本

最后一個值得關(guān)注的領(lǐng)域，是和我們生活息息相關(guān)手機快充。目前，手機充電器已經(jīng)從過去的幾瓦，提升到當(dāng)前的65瓦，甚至100瓦以上，這其中就使用了大量的氮化鎵器件。與碳化硅特性類似，氮化鎵同樣可以降低系統(tǒng)散熱要求，提升整體系統(tǒng)效率，這樣一來，同樣體積、重量的充電器就能夠輸出更大電流，以滿足快充市場的要求。在數(shù)據(jù)中心里也會遇到同樣的情況，作為用電大戶，哪怕只有0.1%-0.2%的效率提升，對全球能量消耗都會產(chǎn)生極大的節(jié)約。

挑戰(zhàn)與機遇并存

但SiC是一種讓人又愛又恨的新材料。目前來看，SiC MOSFET的發(fā)展主要受制于兩個方面：碳化硅晶圓材料的品質(zhì)和產(chǎn)品價格。由于MOSFET對碳化硅晶圓材料的品質(zhì)要求遠遠高于肖特基二極管產(chǎn)品，SiC MOSFET單顆芯片的尺寸也要大于碳化硅二極管產(chǎn)品，所以對碳化硅晶圓材料的缺陷密度有著更高的要求，更高品質(zhì)的碳化硅晶圓可以顯著提高目前SiC MOSFET芯片的良率。同時，考慮到汽車、光伏、風(fēng)電、數(shù)據(jù)中心等行業(yè)對產(chǎn)品質(zhì)量要求極高，未來，對碳化硅材料、器件質(zhì)量的高要求會成為整個行業(yè)向前發(fā)展所必須具備的重要因素。

另一方面，碳化硅晶圓材料，特別是高品質(zhì)晶圓較高的價格也導(dǎo)致SiC MOSFET成本增加，成為制約SiC MOSFET更大規(guī)模普及和發(fā)展的要素之一。但沈鑫認為，在可預(yù)見的未來，隨著供應(yīng)鏈的發(fā)展，其整體系統(tǒng)成本與硅基產(chǎn)品會越來越接近。

“其實，即便單個碳化硅器件價格高于傳統(tǒng)硅器件，但我們更看重它在降低系統(tǒng)成本方面所起到的關(guān)鍵作用，尤其是業(yè)界一直以來在封裝、應(yīng)用、結(jié)構(gòu)改進、與硅器件相融合等方面進行系統(tǒng)級優(yōu)化，我相信整個行業(yè)會越做越好。”他說。

在沈鑫看來，無論是在中國、歐洲還是美國，行業(yè)協(xié)會在促進同行業(yè)中不同公司間的協(xié)作，尤其是上下游之間的協(xié)作方面，起著不可替代的作用，這對瑞能這樣的IDM公司來說更是如此，雙方合作意義巨大。